- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/10 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
Détention brevets de la classe H01L 27/10
Brevets de cette classe: 1541
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
129 |
| Panasonic Corporation | 20786 |
102 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
86 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 604 |
72 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
60 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
52 |
| NEC Corporation | 32703 |
52 |
| Kabushiki Kaisha Toshiba, doing business as Toshiba Corporation | 6275 |
43 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
42 |
| SanDisk 3D LLC | 299 |
40 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
36 |
| Fujitsu Limited | 19265 |
33 |
| Sharp Kabushiki Kaisha | 18957 |
29 |
| RPX Corporation | 1571 |
21 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
20 |
| Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. | 970 |
20 |
| Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 4724 |
16 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
15 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3677 |
15 |
| Floadia Corporation | 75 |
13 |
| Autres propriétaires | 645 |